在光通信激光器、红外探测器、高频微波器件等光电子领域，磷化铟（InP）作为 Ⅲ-Ⅴ 族化合物半导体材料，凭借高电子迁移率、良好的光电转换效率及与光纤低损耗窗口的匹配性，成为制备光电子器件的重要基材。但磷化铟存在脆性高、易受机械应力开裂，且对加工环境中杂质（如金属离子、粉尘）敏感的特点，同时器件制造对其表面粗糙度（纳米级要求）、亚表面损伤（数百纳米内控制）的严格标准，给研磨抛光加工带来挑战。北京艾姆希半导体科技有限公司依托多年硬脆材料加工技术积淀，研发磷化铟抛光研磨设备，为本土企业与科研机构提供低损伤、高精度的精密加工解决方案。

    磷化铟的高脆性使其在加工中易受应力影响而开裂，传统设备在 “去除效率” 与 “应力控制” 的平衡上存在挑战。北京艾姆希设备采用 “精密研磨 + 机械抛光” 复合工艺路径：研磨阶段搭配专用弹性磨盘与低粘度研磨液，通过 “微压力调节（0-3.5kg 可调）+ 低速研磨（0-120rpm）” 模式，实现材料柔性去除，减少局部应力集中；抛光阶段采用定制化纳米级磨料，结合温控系统（加工温度控制在 20-25℃），降低热应力对材料的影响，可实现表面粗糙度 Ra≤2Å、亚表面损伤层深度 < 500nm 的加工效果，符合光电子器件制造相关标准要求。设备内置磷化铟不同晶向（如 <100>、<111>）的工艺模板，预设研磨压力、抛光时间、磨料供给量等核心参数，企业可直接调用或微调，有助于缩短工艺调试周期。

    虑到磷化铟对杂质的敏感性，设备接触材料的部件采用高纯陶瓷与防腐不锈钢材质，减少加工过程中金属离子附着；工作腔采用密封式设计，配合多级过滤与负压除尘系统，降低粉尘与外界污染物进入，适配光电子器件制造所需的 Class 1000 洁净车间环境。同时，搭载自主研发的数控系统，集成多重高精度传感模块：压力传感器实时修正研磨压力，偏差控制在 ±0.05kg 以内，减少晶圆厚度不均；位移传感器控制研磨深度，最小控制精度达 0.1μm，保障批量加工时的厚度公差（±1μm）；光学轮廓传感器实时监测表面质量，及时反馈并调整加工参数，减少不良品产生。所有加工参数（压力、转速、温度、表面粗糙度数据等）自动记录并支持导出，为质量追溯与工艺优化提供数据支撑，符合光电子行业的合规性管理要求。从材料特性适配到场景需求满足，北京艾姆希的磷化铟抛光研磨设备凭借技术针对性与服务及时性，为本土光电子领域精密加工提供支撑。未来，公司将持续融合全球技术与本土需求，优化设备的加工效率与精度，助力国内磷化铟光电子器件产业发展。