在新能源汽车功率器件、5G 射频通信、紫外探测等领域，氮化镓（GaN）作为宽禁带半导体材料，凭借高击穿电场、高电子迁移率、耐高温的特性，成为推动器件升级的重要基材。但氮化镓存在硬度高（莫氏硬度 9 级，接近金刚石）、脆性大、不同晶面加工难度差异显著的特点，且器件制造对其表面粗糙度（纳米级要求）、加工损伤层（微米级内控制）的严格标准，给研磨抛光加工带来挑战。北京艾姆希半导体科技有限公司依托材料加工技术积淀，研发氮化镓抛光研磨设备，为本土企业与科研机构提供低损伤、高效率的精密加工解决方案。

    氮化镓的高硬度使传统设备在加工中易面临效率与质量的平衡难题。北京艾姆希设备采用 “金刚石砂轮精密研磨 + 化学机械抛光（CMP）” 复合工艺路径：研磨阶段搭配定制化超细粒度金刚石磨料（粒径可至 1μm 以下），通过 “分级压力调节（0-3.5kg 可调）+ 变频转速（0-120rpm）” 模式，在实现材料高效去除的同时，减少表面微裂纹产生；抛光阶段采用专用纳米级磨料，结合超声辅助抛光技术，降低加工应力，可实现表面粗糙度 Ra≤2Å、厚度差TTV < 1μm 的加工效果，符合功率器件、射频器件的制造相关标准要求。设备内置氮化镓不同晶面（如 <0001> 基面、<10-10 > 棱柱面）的工艺模板，预设研磨压力、抛光时间、磨料供给量等核心参数，工程师可直接调用或微调，有助于缩短工艺调试周期。

    国内部分 5G 射频器件企业已采用该设备开展氮化镓外延片的抛光加工，设备稳定的加工精度有助于保障射频器件的信号传输性能。在科研领域，该设备可用于氮化镓基异质结构（如 GaN/AlGaN）的加工研究，其灵活的参数调节范围与低损伤加工特性，可支持科研人员探索新型器件结构的制备工艺。从材料特性适配到场景需求满足，北京艾姆希的氮化镓抛光研磨设备凭借技术针对性与服务及时性，为本土宽禁带半导体加工提供支撑。未来，公司将持续融合全球技术与本土需求，优化设备的加工效率与精度，助力国内氮化镓器件产业发展。