在光电信息、半导体器件等高端制造领域，铌酸锂（LN）以其优异的铁电、压电与光电性能，成为激光调制器、表面声波滤波器等核心器件的关键基材。但铌酸锂硬度低、脆性大且各向异性显著的特性，使其在研磨抛光中易出现表面划伤、亚表面损伤及磨粒嵌入等问题，对设备的精度控制与工艺适配性提出较高要求。北京艾姆希半导体科技有限公司依托材料加工技术积淀，针对性研发铌酸锂抛光研磨设备，为本土企业提供低损伤的精密加工解决方案。

    铌酸锂的脆性与各向异性是加工主要挑战，传统工艺易产生亚表面损伤层。北京艾姆希设备采用 “粗磨精磨 + 粗抛精抛” 复合工艺路径，搭配艾姆希研发的专用研磨液与磨料组合，结合 “低压力（0-3.5kg 可调）+ 变转速（0-120rpm）” 调控方式，实现铌酸锂的脆塑转变加工 —— 研磨阶段去除切割损伤层，抛光阶段可达到 Ra≤5Å 的表面精度，亚表面损伤层深度控制在 1μm 以内，符合光电器件制造相关要求。设备内置多晶向工艺模板，针对 X、Y、Z 不同晶向的铌酸锂特性预设参数，可直接调用或微调，有助于减少企业调试耗时。

    在京津冀地区的半导体行业企业中，该设备可完成铌酸锂晶圆的双面抛光加工，实现粗糙度（RA）<1nm、总厚度偏差（TTV）<2μm 的加工精度，助力企业提升器件滤波性能。

    针对 5G 通信器件所需的 0.18mm 厚度超薄铌酸锂晶圆，通过真空吸附夹具与分步减薄工艺，可降低加工过程中的晶圆破损风险。清华大学、中科院半导体研究所等机构已采用该设备开展新型掺杂铌酸锂（Mg:LN、Fe:LN）的加工研究。设备灵活的参数调节范围与稳定的重复精度，可支持科研人员探索不同工艺对材料光电性能的影响，助力新材料产业化进程。

    从材料特性适配到场景需求满足，北京艾姆希的铌酸锂抛光研磨设备凭借技术针对性与服务及时性，为本土光电产业精密加工提供支撑。未来，公司将持续融合全球技术与本土需求，优化设备的加工效率与精度，助力国内铌酸锂器件产业发展。