在半导体制造的先进工艺中，化学机械抛光（CMP）是实现晶圆表面全局平坦化的技术，需在化学腐蚀与机械研磨的协同作用下，精准控制晶圆表面粗糙度、平整度及损伤层厚度，对设备的工艺协同性、参数稳定性、耗材适配性有较高要求。北京艾姆希半导体科技有限公司依托在精密加工领域的技术积累，针对半导体晶圆 CMP 加工需求研发的专用设备，为国内半导体产业提供适配的高精度、高稳定性抛光解决方案。

    CMP 设备搭载北京艾姆希自主研发的智能数控系统，集成多组高精度传感器与监测模块，实现加工全流程的实时监控与反馈。通过 “光学终点检测模块”，可实时捕捉晶圆表面反射光信号，判断抛光终点，避免过度抛光导致的晶圆厚度偏差；通过 “压力传感器” 动态修正研磨头压力，确保晶圆不同区域受力均匀，减少边缘效应导致的平整度差异；通过 “浆料流量传感器” 控制浆料供给速率，不足时自动调节阀门，保障研磨界面浆料浓度稳定；通过 “温度传感器” 监测研磨盘温度，超出预设范围时自动启动冷却系统，防止热应力影响晶圆材料性能或设备部件寿命。

    系统内置多组 CMP 工艺参数模板，涵盖不同材质、不同尺寸（2 英寸 - 8 英寸）晶圆的抛光方案，用户可直接调用或基于模板微调，减少工艺调试时间；同时具备数据记录与分析功能，可存储每片晶圆的加工参数、抛光时间、终点检测数据，生成生产报表，为后续工艺优化、质量追溯提供数据支撑。

    北京艾姆希凭借对半导体 CMP 工艺的理解与技术实践，其 CMP 设备在协同控制、过程监测、耗材适配方面形成自身特色。未来，公司将继续关注国内半导体先进制造需求，投入研发资源，优化设备性能与工艺方案，为半导体产业的技术升级提供适配的 CMP 设备支持。